二维实现不同技术的完全集成较困难-三维封装技术

不同技术混合集成
　　从技术上而言，在二维SOC上实现不同技术的完全集成是很困难的。即使技术上可行，昂贵的生产成本和投资要求也会阻碍单个IC集成(如SOC)技术的发展。通过首先制备出单个芯片，然后在基板上集成和堆叠成三维结构，多芯片模块(MCM)和三维封装可实现不同技术的混合集成。因此，从集成技术发展前景而言，MCM和三维封装更适合微系统应用的多种需求。
性能
　　三维集成的系统性能要远远高于SOC和MCM这两种二维集成技术。三维集成性能高的一个主要原因在于，采用很短的三维垂直互连线取代了二维集成中较长的互连线。在电路的版图设计中，有三种互连方式：局部互连、半整体互连和整体互连。局部互连是指功能模块内单元间最短的互连；半整体互连用于相邻模块间的互连，长度居中；整体互连的长度最长，贯穿整个电路。整体互连的一个实例是在功能模块间实现块问的时间互连。
含硅穿孔的三维IC堆栈结构
　　含硅穿孔的三维IC堆栈技术提供了一种十分可行的三维集成方案，该技术解决了很多与三维片上集成有关的问题。在三维IC堆栈结构中，由于首先单独制造每块IC然后堆叠在一起，因此可实现不同技术间的低成本集成。堆栈结构中的每一层可以包含不同电压、性能和制造工艺要求的电路。由于三维硅层采用上述非常短的垂直互连实现连接，IC堆栈结构的性能也得到改进。