气体和液体硅片加工检测金相显微镜

作者：厂家库小编SWEU 2020-03-06 阅读：731

气体和液体硅片加工检测金相显微镜
气体和液体源要求使用开管扩散系统。特别是必须有一个与半导体硅片相当的无限杂质量，这样，杂质的分布服从余误差函数。为了更好地控制杂质的分布图形，大多数的扩散采用上述的两步扩散法

，首先，用低温(800—l，1000摄氏度)淀积，仅在表面附近的一个很小的区域里掺杂，然后，在无源炉内，使杂质在半导体硅片中进行再分布。关于初扩散的计算，可先考虑它是余误差函数，并依据它是很浅的扩散从而计算出每平方厘米的杂质浓度。再用它作为扩散方程的有限源的边界条件，以得到最后的解。这样就提供了对表面浓度和杂质分布的控制。

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