多晶硅覆盖的栅氧区厚度截面金相分析显微镜

多晶硅覆盖的栅氧区厚度截面金相分析显微镜
    光电倍增管是很理想的探测器，但它是一种一元探测器，这是其最大的弱点。虽然目前已研制出多阴极光电倍增管，它相当于许多很细的倍增管组成的矩阵，但目前也只能作到一百个左右的通道，与期望值相比还远远不足。    近年来，在天文观测中(主要是对暗目标的观测)，二维光电器件得到越来越多的应用。二维光电器件兼备了照相底片和光电倍增管的优点，是一种更为理想的探测器。按其工作原理和结构可分为:像增强器、电子照相机和电视型探测器等。
    二相CCD    为使CCD能在二相时钟脉冲驱动下工作，电极本身必须设计成某种不对称性，即由电极结构本身保证电荷转移的定向性。产生这种不对称性的最常用的方法是利用绝缘层不同厚度的台阶和离子注人来产生内势垒。    台阶氧化层二相结构:形成台阶氧化层电极结构的方法可以有多种，现在多采用二相硅一铝交叠栅结构。第一层电极采用低电阻率多晶硅。在这些电极上热生长绝缘氧化物的过程中，没有被多晶硅覆盖的栅氧区厚度也将增长。第二层电极采用金属铝电极，铝栅下绝缘物质厚度与硅栅下不同，因而在相同栅压下形成势垒，它的作用是将各个信号电荷包隔离并且限定电荷转移的方向。这种结构的显著优点是电极间发生短路的可能性小，成品率高，适用于高性能、高封装密度的大型CCD器件。

    注人势垒二相结构:采用离子注人技术可在电极下面获得表面势不对称结构。在N沟道中可注人硼原子，当其离化后在表面产生固定的负电荷，这种负电荷使电压提高，形成台阶梯状的势垒分布。注人势垒比氧化物台阶势垒可以做得更高些。    二相CCD结构的优点是驱动脉冲简单，在相同的时钟频率下电荷包转移一个单元所需时间短些。与三相CCD相比，布线也比较简单，但它的单元存贮电荷的容星却不如三相CCDO    除了这两种 CCD结构外，广泛采用的CCD结构还有虚相(单相)CCD和四相CCD，它们也各有优缺点。